2008年8月21日，东京——索尼公司今天宣布已经研发出高功率、短波长的红光半导体激光二极管阵列，作为投影器件的理想光源。 为了让红光半导体激光二极管阵列能够适用在投影器件上，它们必须符合高亮度，高效率和室温下工作的要求。这一新开发的激光二极管阵列，实现了振幅波长635nm，产生的亮度水平是传统红光半导体激光的1.6倍*2。 激光阵列是由25个宽条纹激光组成，每一个激光棒的长度是10mm。激光棒安装在一个铜散热器座上。索尼在激光活跃层内实现了最佳的一致性，高纯度晶体层，以及在AlInP电镀层内掺杂高浓度的镁，这一系列措施确保实现低阈值电流和改善激光特性。为了附着激光阵列和散热器，索尼引入了新的die bonding封装技术，从而实现激光阵列中高水准的散热能力。此外，激光棒安装过程的精确性也有了进一步的改善，以提供激光阵列和光学部件之间先进的耦合效率。正因为这些技术上的进步，新的红光半导体激光阵列拥有635nm波长， 7.2瓦特光功率， 23 ％的能量转换效率，以及在25° C的室温条件运作的能力。这些散热和光学特性，使它非常容易应用在投影器件的设计中。 索尼将于9月2日到9月5日，在日本名古屋市Chubu大学举行的第69届日本社会应用物理学秋季大会上展示这些成果。 * 1 截至2008年8月21日。 （基于索尼研发部） * 2 索尼红光半导体激光阵列，于2005年研发。 特性： 1 ）7.2瓦特光输出 激光阵列采用了2.5cm的散热器，非常适合用作投影机光源。 2 ） 635nm波长的亮光源 这种激光的亮度是波长为645nm的红光半导体激光阵列的1.6倍。 3 ）25 ° C时，23 ％的能量转换效率 产生的热量低，因为激光阵列的高能量转换率，只需要小型冷却系统.